SK hynix posiela partnerom HBM4E: rýchlejšia pamäť pre ďalšiu vlnu AI čipov

SK hynix začal partnerom dodávať vzorky novej pamäte HBM4E, ktorá cieli najmä na výkonné AI akcelerátory a dátové centrá. Novinka dosahuje prenosovú rýchlosť 16 Gb/s na pin a v aktuálnej 12-vrstvovej konfigurácii ponúka kapacitu 48 GB na jeden pamäťový stack.

Keďže moderné AI čipy zvyčajne používajú viacero HBM stackov naraz, ide o dôležitý krok pre ďalšiu generáciu výpočtového výkonu. SK hynix zároveň tvrdí, že HBM4E je o 20 % energeticky úspornejšia než predchádzajúca HBM4.

Firma pri výrobe využíva technológiu MR-MUF, teda Mass Reflow Molded Underfill. Tá používa ochrannú kvapalinu medzi kremíkovými vrstvami, aby lepšie chránila obvody a zlepšila odvod tepla. Výsledkom má byť o 17 % nižší tepelný odpor oproti staršiemu riešeniu.

SK hynix uvádza, že vzorky dodal podľa plánu a s partnermi chce úzko spolupracovať na príprave včasnej sériovej výroby.