Samsung posiela vzorky pamätí HBM4E: vyššia kapacita a nižšie teplo pre AI čipy

Samsung začal zákazníkom posielať vzorky pamätí HBM4E, ktoré prinášajú vyššiu kapacitu, rýchlejší prenos dát a efektívnejšie chladenie pre AI systémy.

Samsung začal dodávať zákazníkom vzorky pamätí HBM4E, teda vylepšenej generácie vysokorýchlostných pamätí HBM určenej najmä pre AI akcelerátory a výkonné výpočtové systémy. Firma tým nadväzuje na skoršie dodávky pamätí HBM4, ktoré začala posielať partnerom vo februári.

HBM4E prináša vyššiu kapacitu v rovnakom 12-vrstvovom návrhu

Aktuálna verzia Samsung HBM4E využíva 12-vrstvovú konfiguráciu s kapacitou 48 GB. V porovnaní s HBM4, ktorá pri rovnakom počte vrstiev ponúka 36 GB, ide o nárast kapacity o približne tretinu.

Samsung zároveň pripravuje aj ďalšie varianty. V ponuke majú byť 8-vrstvové čipy s kapacitou 32 GB a 16-vrstvové riešenia so 64 GB. Výrobcovia AI čipov a serverových riešení tak budú môcť voliť medzi kapacitou, výkonom, spotrebou a priestorovými nárokmi podľa konkrétneho návrhu.

Vyššia priepustnosť pre AI akcelerátory

HBM4E má priniesť aj vyššiu prenosovú rýchlosť. Samsung uvádza 14 Gb/s na pin, čo predstavuje približne 20 % zlepšenie oproti HBM4 s hodnotou 11,7 Gb/s na pin. Celková priepustnosť má dosahovať približne 3,6 TB/s na jeden pamäťový stack.

Pri AI systémoch je priepustnosť pamäte kľúčová, pretože výkonné akcelerátory často narážajú nie na samotný výpočtový výkon, ale na rýchlosť presunu dát medzi pamäťou a čipom. Práve v tejto oblasti majú pamäte HBM4E zlepšiť možnosti ďalšej generácie serverov a dátových centier.

Odporúčame

Mobily 18. mája 2026

Samsung Galaxy Z Fold8 unikol: tenšie telo, väčšia batéria a nový Fold Wide

Samsung Galaxy Z Fold8 a nový Fold Wide majú podľa únikov priniesť tenšie telo, výkonnejší čip, lepšie fotoaparáty, batérie a rýchlejšie nabíjanie.

4 min 0

Biznis 24. mája 2026

Samsung predbehol Apple v spokojnosti zákazníkov 

Samsung v rebríčku spokojnosti zákazníkov ACSI 2026 tesne predbehol Apple, kým používatelia čoraz viac oceňujú výdrž batérie, AI funkcie a vlajkové modely smartfónov na trhu.

5 min 0

Nový výrobný základ a lepšie chladenie

Technológia HBM4E kombinuje pamäťové čipy vyrábané 6. generáciou procesu „1c“ v 10 nm triede a 4 nm logický základný čip. Samsung uvádza, že prepracovaný návrh zlepšil energetickú efektivitu o 16 %.

Dôležité je aj zníženie tepelného odporu najmenej o 14 %. V praxi to znamená, že pamäte by mali byť jednoduchšie chladiteľné, čo je pri hustých AI serveroch a výpočtových kartách zásadné. Nižšia spotreba a efektívnejší odvod tepla môžu pomôcť znížiť tlak na chladiace systémy v dátových centrách.

Samsung chce posilniť pozíciu v pamätiach pre AI

Samsung tvrdí, že rozširuje kapacity na výrobu pamätí HBM4 a HBM4E. Firma zároveň naznačuje, že aktuálna rýchlosť 14 Gb/s na pin nemusí byť konečná, keďže návrh má priestor na zvýšenie až na 16 Gb/s.

Dodávky vzoriek ešte neznamenajú okamžitú dostupnosť vo finálnych produktoch. Pre zákazníkov Samsungu však ide o dôležitý krok vo fáze testovania a integrácie nových pamäťových riešení do pripravovaných AI akcelerátorov, serverov a ďalších výpočtových platforiem.