Samsung pri sérii Galaxy S25 siahne po efektívnejších RAM

Samsung plánuje v nadchádzajúcej sérii Galaxy S25 použiť efektívnejšiu pamäť RAM. Zatiaľ čo všetky zariadenia z minuloročného modelového radu Galaxy S24 využívali 13 nm RAM LPDDR5X od Samsungu, nová séria S25 prejde na 12 nm čipy od spoločnosti Micron.

Samsung už oficiálne predstavil nové zariadenia z radu Galaxy S25. Informácie nájdete v samostatných článkoch: Samsung Galaxy S25, Samsung Galaxy S25+, Samsung Galaxy S25 Ultra a Samsung Galaxy S25 Edge.

V budúcnosti sa očakáva, že Samsung pridá do výroby aj svoje vlastné 12 nm RAM čipy. Lenže teraz by Samsung musel využiť staršiu a menej efektívnu generáciu RAM čipov. 

Prechod na menší výrobný proces prinesie nižšiu spotrebu energie, zníženie tepla a zlepšenie celkovej efektivity zariadení. Tieto RAM čipy budú spárované s procesorom Snapdragon 8 Elite vo všetkých modeloch série S25. 

Dôležitou zmenou je aj zvýšenie kapacity pamäte; základný model Galaxy S25 bude mať minimálne 12 GB RAM, čím sa odstráni doterajší limit 8 GB v základných modeloch. Samsung zvýši kapacitu RAM zrejme aj pre plunuješiu prácu s umelou inteligenciou Galaxy AI. 

Samsung celú novú líniu Galaxy S25, ktorá bude obsahovať minimálne trojicu tradičných zariadení Galaxy S25, Galaxy S25+ a Galaxy S25 Ultra predstaví počas akcie Samsung Unpacked. Tá sa odohraje už 22. januára v San José. Samsung by však mohol predstaviť aj extrémne tenký model Galaxy S25 Slim.